Физика полупроводниковых приборов

  • Цель изучения дисциплины – овладение основами зонной теории полупроводников, статистикой электронов и дырок, механизмами рассеяния носителей заряда, кинетическими, оптическими, поверхностными и контактными явлениями в полупроводниках. Содержание дисциплины: основы зонной теории полупроводников. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках. Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках. Кинетические явления в полупроводниках. Неравновесные носители заряда в полупроводниках. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей заряда в полупроводниках. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда. Термоэлектрические эффекты. Оптические явления в полупроводниках. Поверхностные явления в полупроводниках. Контактные явления в полупроводниках.
  • Образовательная программа 6B05303 Техническая физика
  • Кредитов 6
  • Селективная дисциплина
  • Год обучения 3
  • Семестр 6
Top